VMOS-Technik

VMOS-Technik

 

['faumos-], Variante der MOS-Technik (V Abkürzung von englisch vertical) zur Herstellung von Feldeffekttransistoren, bei denen der wirksame Strompfad (Kanal) nicht in horizontaler Lage zwischen den Elektroden Source und Drain liegt, sondern aufgrund der modifizierten Geometrie vertikal gerichtet ist. Der v-förmige Einschnitt teilt den Kanal in zwei sehr kurze, elektrisch parallel geschaltete Strecken. Dies hat eine Verbesserung des Durchlasswiderstands zur Folge sowie wegen der geringeren Kapazitäten zwischen den Elektroden kürzere Schaltzeiten (z. B. können 2 A in 10 ns an- oder ausgeschaltet werden) und eine höhere Grenzfrequenz. VMOS-Transistoren sind für den Einsatz als Schalttransistoren und für Hochfrequenzanwendungen bei höheren Leistungen besonders gut geeignet. Sie benötigen nur eine sehr kleine Eingangsleistung und zeigen als Leistungsbauelemente extrem niedriges Rauschen. Ihre Schwellenspannung liegt zwischen 0,8 V und 2 V (TTL-kompatibel).